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全球首款128层4D NAND

SK海力士公司今天宣布已开发并开始批量生产全球首款128层1Tb TLC(三层单元)4D NAND闪存,而这仅是在8个月之前才宣布推出96层4D NAND产品之后。

目前,128层1 Tb NAND芯片提供业界最高的垂直堆叠,拥有超过360亿个NAND单元,每个单元存储3个芯片。为实现这一目标,SK海力士应用创新技术,如“超均匀垂直蚀刻技术”,“高可靠性多层薄膜电池形成技术”和超快速低功耗电路设计,自行开发4D NAND技术
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SK海力士将从今年下半年开始发售128层4D NAND闪存,同时继续推出各种解决方案。凭借其在单芯片中的四平面架构,该产品在1.2 V时实现了1,400 Mbps(兆位/秒)的数据传输速率,实现了高性能和低功耗的移动解决方案和企业级SSD。SK海力士计划于明年上半年为主要的旗舰智能手机客户开发下一代UFS 3.1产品。使用128层1 Tb NAND闪存,1 TB(太字节)产品所需的NAND芯片数量(目前是智能手机的最大容量)将比512 Gb NAND减少一半; 它将为客户提供移动解决方案,在1毫米薄的封装中功耗降低20%

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